로에스 전자 부품 전파 사이리스터 브리지 정류기 모듈

IF(AV)=35A ~ 300A, VRRM= 800V,1600V 또는 관습은 했습니다, Tjm= 150C

테이블에서 매개 변수는 평가고 모듈의 각각 다이오드 칩의 특성입니다

타입에 적합합니다 : MDG, MDY

3상 하프 브리지 정류기 모듈 (비 고립된 유형)

타입	(AV) TC 면		VTM (V)	IRRM (mA)	번째(j-c) (C/W)	번째(c-h) (C/W)	Fig	회로
	(A)	(C)
MDG35	35	100	≤1.3	≤10	0.65	0.1	8
MDG55	55	90	≤1.3	≤10	0.47	0.1	8
MDG70	70	90	≤1.3	≤10	0.38	0.1	8
MDG90	90	85	≤1.3	≤10	0.29	0.1	8,16
MDG110	110	85	≤1.3	≤10	0.23	0.1	8,16
MDG130	130	85	≤1.3	≤15	0.19	0.05	8,16
MDG150	150	85	≤1.3	≤15	0.16	0.05	8,16
MDG200	200	85	≤1.5	≤15	0.126	0.05	8,16
MDG250	250	85	≤1.5	≤20	0.100	0.05	웹 사이트를 보세요
MDG300	300	80	≤1.5	≤20	0.083	0.05	웹 사이트를 보세요

IT(AN)=25A~300A, VDRM=VRRM=600V, 1600V 또는 만들어진 관습, Tjm= 125C, dv/dt≥500V/μs

테이블에서 매개 변수는 평가이고 각각 사이리스터의 특성이 모듈을 추렴합니다

타입에 적합합니다 : MTG, MTY

3상 하프 브리지 사이리스터 모듈 (비고립형 타입)

타입	그것 (AV) TC		VGT IGT		VTM (V)	IRRM (mA)	번째(j-c) (C/W)	번째(c-h) (C/W)	Fig	회로
	(A)	(C)	(V)	(마)
MTG25	25	85	≤2.0	60±10	≤1.3	≤10	1.15	0.1	8
MTG40	40	85	≤2.0	60±10	≤1.3	≤10	0.65	0.1	8
MTG55	55	85	≤2.0	60±10	≤1.3	≤10	0.47	0.1	8
MTG70	70	85	≤2.5	60±10	≤1.3	≤15	0.38	0.1	8
MTG90	90	85	≤2.5	65±15	≤1.3	≤15	0.29	0.1	8,16
MTG110	110	85	≤2.5	65±15	≤1.3	≤15	0.23	0.1	8,16
MTG130	130	85	≤2.5	65±15	≤1.3	≤20	0.19	0.05	8,16
MTG150	150	80	≤2.5	70±15	≤1.5	≤20	0.16	0.05	8,16
MTG200	200	80	≤2.5	70±15	≤1.5	≤20	0.126	0.05	8,16
MTG250	250	80	≤2.5	75±15	≤1.5	≤30	0.100	0.05	웹 사이트를 보세요
MTG300	300	75	≤3.0	75±15	≤1.6	≤30	0.083	0.05	웹 사이트를 보세요

만들어진 ID=30A ~ 500A, Ijm= 125C, VDRM=VRRM= 1600V 또는 관습, VISO≥ 2.5KV(RMS)

dv/dt≥500V/μs

테이블에서 매개 변수는 안에 모듈에 평가와 각각 사이리스터 칩의 특성입니다)

타입에 적합합니다 : MTQ,MTF,MHF,MD/TF,MT/DQ,MT/DF

단일 상 전체 통제된 정류기 브리지 모듈 (반쯤 제어됩니다)

타입	그것 (AV) TC		VGT IGT		IDRM IRRM (mA)	VTM (V)	번째(j-c) (C/W)	번째(c-h) (C/W)	Fig	회로
	(A)	(C)	(V)	(마)
MTQ30	30	85	0.8±0.1V	40±10	≤8	≤1.6	1.4	0.1	4,5
MTQ60	60	85	0.8±0.1V	40±10	≤10	≤1.6	0.76	0.1	4,5
MTQ100	100	85	0.8±0.1V	45±10	≤15	≤1.6	0.49	0.1	4,5
MTQ150	150	80	0.8±0.1V	45±10	≤15	≤1.6	0.3	0.05	6
MTQ200	200	80	0.95±0.15V	45±15	≤20	≤1.6	0.25	0.05	6
MTQ250	250	80	0.95±0.15V	50±15	≤20	≤1.8	0.29	0.05	6
MTQ300	300	80	0.95±0.15V	55±15	≤20	≤1.8	0.24	0.05	6

만들어진 ID=30A ~ 800A, Ijm=125C, VDRM=VRRM= 1600V 또는 관습, VISO≥2.5KV(RMS)

dv/dt≥500V/μs

테이블에서 매개 변수는 평가이고 각각 사이리스터의 특성이 (ID를 제외하고) 모듈을 추렴합니다

타입에 적합합니다 : MTS, MT / DS, MHS

3상 전체는 (반쯤 제어되) 정류기 다리 모듈을 제어했습니다

타입	그것 (AV) TC		VGT IGT		VTM (V)	IDRM IRRM (mA)	번째(j-c) (C/W)	번째(c-h) (C/W)	Fig	회로
	(A)	(C)	(V)	(마)
MTS30	35	85	≤20	40±10	≤1.6	≤10	1.30	0.1	4,5
MTS60	60	85	≤2.0	40±10	≤1.6	≤10	1.10	0.1	4,5
MTS100	100	85	≤2.0	45±10	≤1.6	≤10	0.75	0.05	4,5

타이핑하세요 :MTQ60A

VRRM :1 600V

최대 부하 경향 :60A

차원 :80×40×27mm

고정 사이즈 :66 밀리미터, Φ6.5mm

타이핑하세요 : DFA60AA16

VRRM : 1 600V

최대 부하 경향 : 60A

차원 : 93×50×21mm

고정 사이즈 : 80 밀리미터, Φ5.3mm

타이핑하세요 : PWB100AA16

VRRM : 1 600V

최대 부하 경향 : 1 00A

차원 : 92×26×29mm

고정 사이즈 : 80 밀리미터, Φ6.4mm

타이핑하세요 : DFA100AA16

VRRM : 1 600V

최대 부하 경향 : 1 00A

차원 : 108×62×28mm

고정 사이즈 : 93×48mm, Φ6mm